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符合RoHS标准
无铅

IPT60R040S7

英飞凌性价比最高的 600V CoolMOS ™ S7 超结 MOSFET，适用于 TO-Leadless (TOLL) 封装的低频开关应用
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封装
评估板
每件.
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IPT60R040S7
IPT60R040S7
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商品详情

  • ID max
    13 A
  • IDpuls max
    207 A
  • Ptot max
    245 W
  • QG (typ @10V)
    83 nC
  • QG
    83 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    36 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    TOLL
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Slow switching
  • 预算价格€/1k
    2.78
推荐的
OPN
IPT60R040S7XTMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的 600V CoolMOS ™ S7 超结 MOSFET（IPT60R040S7）采用 TO-Leadless（无铅）封装，其设计针对低传导性能进行了优化。IPT60R040S7 拥有适用于低频开关应用的最佳 RDS(on) x 价格，如有源桥式整流、逆变级、浪涌继电器、PLC、高压直流线路、功率固态继电器 (SSR) 和固态断路器 (SSCB)。这款 600V CoolMOS ™ S7 SJ MOSFET 具有更高的能源效率和更低的 BOM 费用。

特性

  • SMD 封装中的低 RDS(on)
  • 针对传导性能进行了优化
  • 提高了热阻
  • 高脉冲电流能力
  • 开尔文源用于大电流开关
  • 符合 TOLL MSL1 标准，易于检查

产品优势

  • 最小化传导损耗
  • 提高能源效率
  • 更紧凑、更简单的设计
  • 消除或减少散热器
  • 降低 TCO 或 BOM 成本

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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