IPT65R033G7

采用开尔文源概念的新型 SMD 封装
数据手册
评估板

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IPT65R033G7
IPT65R033G7
数据手册

商品详情

  • ID max
    69 A
  • ID (@25°C) max
    69 A
  • IDpuls max
    245 A
  • Ptot max
    391 W
  • Qgd
    35 nC
  • QG
    110 nC
  • QG (typ @10V)
    110 nC
  • RDS (on) max
    33 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    33 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.32 K/W
  • Rth
    0.32 K/W
  • Tj
    -55 °C to 150 °C
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    3 V to 4 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    TOLL (HSOF-8)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    highest performance
  • Budgetary Price €/1k
    7.8
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
CoolMOS ™ C7 Gold 超结 MOSFET 系列 (G7) 首次融合了改进的 650V CoolMOS ™ C7 Gold 技术、4 引脚开尔文源能力以及 TOLL 封装改进的热性能的优势，从而为高达 3kW 的功率因数校正 (PFC) 等高电流硬开关拓扑提供了 SMD 解决方案。

特性

  • 提供一流的 FOM R DS(on)*E oss 和 R DS(on)*Q G
  • 在最小尺寸内实现一流的 R DS(on)
  • 内置第 4 引脚开尔文源配置和低寄生源电感 (~1nH)
  • 符合 MSL1 标准，完全无铅，具有易于目视检查的凹槽引线
  • 提高热性能 R th

产品优势

  • FOM R DS(on)xQ G 比之前的 650V CoolMOS ™ C7 提高 14%，从而实现更快的开关速度，从而提高效率
  • 在 115mm 2 TOLL 封装中，通过 BIC 33mΩ 实现功率密度
  • 通过开尔文源极降低寄生源极电感，提高了开关效率和易用性
  • TOLL 封装易于使用且符合最高质量标准
  • 改进的散热性能使 SMD TOLL 封装能够用于比以前更高的电流设计

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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