现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IPT65R190CFD7

集成快速体二极管的 650 V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择
数据手册
封装

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IPT65R190CFD7
IPT65R190CFD7
数据手册

商品详情

  • IDpuls max
    44 A
  • QG
    22 nC
  • RDS (on) max
    190 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    TOLL
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    1.06
受到推崇的
OPN
IPT65R190CFD7XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌采用 TOLL 封装的 650 V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET IPT65R190CFD7 非常适合工业应用中的谐振拓扑，例如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站，与竞争对手相比，它可以显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后续产品，它具有降低的栅极电荷、改进的关断行为和降低的反向恢复电荷，可实现最高的效率和功率密度以及额外的 50 V 击穿电压。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • 低存储能量 COSS
  • 低 Qrr
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更高的开关频率
  • 软开关效率高
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适用于硬谐振拓扑
  • 实现高功率密度
  • 实现更好的控制
  • 开尔文源

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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