现货，推荐
符合RoHS标准

IPTC068N20NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 200 V 正常电平，采用 TOLT 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPTC068N20NM6
IPTC068N20NM6
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    140 A
  • QG (typ @10V)
    71 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    6.8 mΩ
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    3.7 V
  • Package
    TOLT (HDSOP-16)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
受到推崇的
OPN
IPTC068N20NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IPTC068N20NM6 利用 OptiMOS ™ 6 200 V 技术的先进电池设计，为传统 OptiMOS ™ 3 和 OptiMOS ™ FD 产品提供合适的替代品。 OptiMOS ™ 6 200 V 的设计旨在满足广泛应用的要求：从静态开关到硬开关和软开关应用中的高频。TOLT封装与OptiMOS ™ 6技术相结合可实现最高功率密度。

特性

  • 200 V 下业界最低的 RDS(on)
  • 200 V 下业界最低的 Qrr
  • 与之前的 200 V 技术相比
  • RDS(on) 降低高达 42%
  • Qrr（典型值）降低高达 89%
  • FOMg
    • 降低 36%
  • 二极管软化 3 倍以上
  • 改善电容线性度
  • 改进的 SOA
  • Vgs(th) 的精确分布范围为 +/- 750 mV
  • 高雪崩强度
  • 最大 Tj 为 175°C 和 MSL1

产品优势

  • 低传导和开关损耗
  • 运行稳定，EMI 得到改善
  • 并联时实现更好的电流共享
  • 增强稳健性
  • 提高系统可靠性

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }