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IPU80R1K4P7

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效率和散热性能的基准
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IPU80R1K4P7
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商品详情

  • ID max
    4 A
  • ID (@25°C) max
    4 A
  • IDpuls max
    8.9 A
  • Ptot max
    32 W
  • Qgd
    5 nC
  • QG
    10 nC
  • QG (typ @10V)
    10 nC
  • RDS (on) max
    1400 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    1400 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    3.9 K/W
  • Rth
    3.9 K/W
  • VDS max
    800 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    IPAK
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    price/performance
  • 预算价格€/1k
    0.31
OPN
IPU80R1K4P7AKMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO251-3
封装名 IPAK
包装尺寸 1500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO251-3
封装名 IPAK
包装尺寸 1500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
凭借 800 V CoolMOS™ P7 系列，英飞凌在 800 V 超结技术方面树立了基准，并将一流的性能与最先进的易用性相结合。坚固的栅极模块、体二极管以及快速简洁的开关特性使该产品系列成为基于反激式的消费类开关电源应用的理想之选。它还适用于消费类PFC平台、太阳能、适配器、音频、照明应用。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • COSS中的低存储能量
  • 集成栅极电阻
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更好的控制
  • 硬开关效率高
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适合硬谐振拓扑

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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