IPW60R120C7
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IPW60R120C7

CoolMOS ™ C7 超结 MOSFET 在 PFC 和 LLC 拓扑中提供一流的性能
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封装
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IPW60R120C7
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    19 A
  • 最高 ID
    19 A
  • 最高 IDpuls
    66 A
  • 最高 Ptot
    92 W
  • QG
    34 nC
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    120 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    120 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    1.35 K/W
  • Rth
    1.35 K/W
  • Special Features
    Highest performance
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO247
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.95

OPN
IPW60R120C7XKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT,DE
视图替换

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT,DE
视图替换
英飞凌的 600 V 和 650 V CoolMOS ™ C7 超结 (SJ) MOSFET 系列旨在实现创纪录的效率性能，并降低硬开关应用中整个负载范围内的损耗。

特性

  • 降低开关损耗
  • 优异的品质因数 Q G*R DS(on)
  • 提高开关频率
  • 市场上最佳的 R (on)*A
  • 坚固的体二极管

产品优势

  • 硬开关效率高
  • 功率密度更高
  • 冷却需求减少
  • MOSFET 适用于硬谐振拓扑
文档

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