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IPW65R155CFD7

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650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 集成快速体二极管，采用 TO-247 封装，是谐振高功率拓扑的完美选择
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IPW65R155CFD7
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商品详情

  • ID max
    15 A
  • ID (@25°C) max
    15 A
  • IDpuls max
    55 A
  • Ptot max
    77 W
  • QG
    28 nC
  • QG (typ @10V)
    28 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    155 mΩ
  • RDS (on) max
    155 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO247
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.48
OPN
IPW65R155CFD7XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET IPW65R155CFD7 采用 TO-247 封装，非常适合工业应用中的谐振拓扑，例如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站，与竞争对手相比，它可以显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后续产品，它具有降低的栅极电荷、改善的关断行为和降低的反向恢复电荷，可实现最高的效率和功率密度以及额外的 50V 击穿电压。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • 低存储能量 COSS
  • 低 Qrr
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更高的开关频率
  • 软开关效率高
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适合硬谐振拓扑

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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