现货，推荐
符合RoHS标准

IQD005N04NM6

OptiMOS ™功率 MOSFET 40 V 正常电平，采用 PQFN 5x6 Source-Down 封装，具有非常低的 RDS(on)。
数据手册
封装
每件.
有存货

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IQD005N04NM6
IQD005N04NM6
每件.
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    610 A
  • IDpuls max
    2440 A
  • QG (typ @10V)
    130 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.47 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.3 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    PQFN 5x6 Source-Down
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    1.43
受到推崇的
OPN
IQD005N04NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 PQFN 5x6 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 PQFN 5x6 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
功率 MOSFET IQD005N04NM6 采用 PQFN 5x6 源极朝下封装。该部件具有 0.5 mOhm 的极低 RDS(on) ，并结合出色的热性能，可轻松实现功率损耗管理。这使得各种终端应用（如 SMPS、电池供电应用、电池管理和低压驱动器）的系统效率和功率密度更高。

特性

  • 尖端 40 V 硅技术
  • 出色的 FOM
  • 改进的热性能
  • 超低寄生效应
  • 最大化芯片/封装比
  • 标准栅极尺寸

产品优势

  • 最小化传导损耗
  • 降低电压过冲
  • 提高最大电流能力
  • 快速切换
  • 减少器件并联
  • 在 5x6 尺寸上实现最低的 RDS(on)
  • 提高热性能
  • 轻松进行热管理
  • 最佳切换性能
  • 行业标准封装

 

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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