IQE004NE1LM7CG
现货，推荐
符合RoHS标准

IQE004NE1LM7CG

OptiMOS ™ 7 功率 MOSFET 15 V，采用 PQFN 3.3x3.3源极-下中心-栅极
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IQE004NE1LM7CG
IQE004NE1LM7CG
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    379 A
  • QG (typ @4.5V)
    29 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    0.57 mΩ
  • 最高 VDS
    15 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 封装
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Logic Level, Switching optimized
  • 预算价格€/1k
    0.82
推荐的
OPN
IQE004NE1LM7CGATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IQE004NE1LM7CG 是业内首款 15 V 沟槽功率 MOSFET 产品组合的一部分。与 OptiMOS ™ 5 25 V 相比，击穿电压降低可使 RDS(on) 和 FOMQg 提高约 30%，FOMQOSS 提高约 40%。中心门占用空间针对并行化进行了优化。与 Source-Down 封装相结合，热管理变得简单，将高功率 SMPS 应用中的功率密度和效率提升到新的水平。

特性

  • 全新 15 V 沟槽功率 MOSFET 技术
  • RDS(on) 为 0.45 mOhm
  • 出色的 FOMQOSS/FOMQg
  • 超低封装寄生
  • 中心栅极占位面积

产品优势

  • 高比率 DC-DC 转换的最佳匹配
  • 降低传导损耗
  • 高效率
  • 最佳开关性能
  • 中心栅极，实现理想的并联

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }