现货，推荐
符合RoHS标准

IQE008N03LM5SC

适用于数据中心 48 V 应用的 HSC 8:1 500 W 模块解决方案。
数据手册
封装
每件.
有存货

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IQE008N03LM5SC
IQE008N03LM5SC
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    252 A
  • IDpuls max
    1008 A
  • QG (typ @4.5V)
    30 nC
  • QG (typ @10V)
    64 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    0.85 mΩ
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • Package
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.87
受到推崇的
OPN
IQE008N03LM5SCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WHSON-8
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WHSON-8
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IQE008N03LM5SC 属于 Source-Down 系列，其 RDS(on) 为 0.85 mOhm。Source-Down 技术引入了翻转硅片，该硅片在组件内部倒置放置。 它具有增强的热能力、提高的功率密度和布局可能性。双面冷却封装比包覆成型封装消耗的功率高出三倍，并且有标准和中心浇口两种尺寸可供选择。

特性

  • RDS(on) 大幅降低，最高可达 30%
  • 与 PQFN 封装相比，RthJC 有所改进
  • 标准和中心栅极封装
  • 全新、优化的布局可能性

产品优势

  • 高功率密度和性能
  • 卓越的热性能
  • 高效的空间利用布局
  • 简化的 MOSFET 并联
  • 改善 PCB 损耗
  • 减少寄生效应

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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