新品
现货，推荐
符合RoHS标准

IQE020N04LM6CG

新品
OptiMOS™ 6 低压功率 MOSFET 40 V，采用 PQFN 3.3x3.3 封装Source-Down center-gate 封装，兼具最优性价比
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IQE020N04LM6CG
IQE020N04LM6CG
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    166 A
  • 最高 IDpuls
    664 A
  • 最高 Ptot
    107 W
  • QG (typ @10V)
    25 nC
  • QG (typ @4.5V)
    12.1 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.05 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    3 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.4 K/W
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1.3 V 至 2.3 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • 封装
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Logic Level
推荐的
OPN
IQE020N04LM6CGATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 N/A
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 -
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IQE012N03LM5CG，OptiMOS™ 6 40 V 功率 MOSFET，1.20 mOhm，采用创新型 PQFN 3.3x3.3 封装Source-Down Center-Gate 采用倒装芯片设计，可将源极电位通过散热焊盘直接连接至 PCB，具备多项优势：例如散热能力更强、功率密度更高、布局更灵活；同时采用 Center-Gate 封装，便于在空间受限的 PCB 区域进行设计集成。

特性

  • 扩展栅极电压额定值
  • 175°C 温度额定值
  • 最佳性价比

产品优势

  • 栅极电压过驱动
  • Cg 快速充放电
  • 更高的可靠性
  • 高功率密度
  • 极具竞争力的价格

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }