现货，推荐
符合RoHS标准

IQE022N06LM5CGSC

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60 V 逻辑电平 PQFN 3.3x3.3源极-下部中心-栅极 DSC 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IQE022N06LM5CGSC
IQE022N06LM5CGSC
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    151 A
  • IDpuls max
    604 A
  • Ptot max
    100 W
  • QG (typ @4.5V)
    26 nC
  • QG (typ @10V)
    53 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2.9 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    2.2 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • Package
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Special Features
    Center-Gate Dual-Side Cooling
  • Budgetary Price €/1k
    1.11
受到推崇的
OPN
IQE022N06LM5CGSCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IQE022N06LM5CGSC 是英飞凌最新推出的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60 V 逻辑电平，采用 PQFN 3.3x3.3源极朝下中心栅极 (CG) 双面冷却 (DSC) 封装，提供业界最低的 25˚C 时导通电阻 RDS(on) 、卓越的热性能和优化的并行化。OptiMOS ™ Source-Down 是一种革命性的设计，其内部采用翻转硅片，具有多种优势，例如增强的热性能、提高的功率密度和改进的布局可能性。IQE022N06LM5CGSC 结合创新的双面冷却封装，可耗散比传统包覆成型封装高达三倍的功率，专门针对电信和数据服务器中常见的高功率密度和性能 SMPS 产品。  

特性

  • 逻辑级别允许更低的 Qrr
  • 将 RDS(on) 降低高达 30%
  • 相比 PQFN，RthJC 有所改进
  • 全新、优化的布局可能性
  • 针对并联进行了优化的中心栅极

产品优势

  • 实现最高功率密度
  • 卓越的热性能
  • 高效的空间利用布局
  • 简化的 MOSFET 并联

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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