现货，推荐
符合RoHS标准

IQE046N08LM5

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 80 V 逻辑电平 PQFN 3.3x3.3Source-Down 封装
数据手册
封装
评估板
每件.
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IQE046N08LM5
IQE046N08LM5
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    99 A
  • IDpuls max
    396 A
  • Ptot max
    100 W
  • QG (typ @4.5V)
    19 nC
  • QG (typ @10V)
    38 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4.6 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    5.9 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • Package
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    1.06
受到推崇的
OPN
IQE046N08LM5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSON-8
封装名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IQE046N08LM5 是英飞凌最新推出的 OptiMOS ™功率 MOSFET，80 V 逻辑电平，采用 PQFN 3.3x3.3源极朝下封装，在 25˚C 时提供业界最低的导通电阻 RDS(on) 和卓越的热性能。OptiMOS ™ Source-Down 是一种革命性的技术，其内部采用倒装硅片，具有多种优势，例如更好的热性能、更高的功率密度和改进的布局可能性。结合工业标准 PQFN 3.3x3.3封装，IQE046N08LM5 适用于电信和数据服务器中常见的高功率密度和性能 SMPS 产品。

特性

  • 逻辑层允许更低的 Qrr
  • 将 RDS(on) 降低高达 30%
  • 相比 PQFN，RthJC 有所改进
  • 针对并联进行了中心栅极优化

产品优势

  • 实现最高功率密度
  • 卓越的热性能
  • 高效的空间利用布局
  • 简化的 MOSFET 并联

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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