现货，推荐
符合RoHS标准

IQE220N15NM5CGSC

OptiMOS ™ 5 低压功率 MOSFET 150 V，PQFN 3.3x3.3源极-下部中心-栅极 DSC 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IQE220N15NM5CGSC
IQE220N15NM5CGSC
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    44 A
  • IDpuls max
    176 A
  • QG (typ @10V)
    14.4 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    22 mΩ
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • Package
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    1.02
受到推崇的
OPN
IQE220N15NM5CGSCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 N/A
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WHTFN-9
封装名 -
包装尺寸 6000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IQE220N15NM5CGSC 属于 Source-Down 系列，其 RDS(on) 为 22 mOhm。Source-Down 技术引入了倒装硅片，提高了热性能、功率密度和布局可能性。 双面冷却封装消耗的功率比包覆成型封装高出三倍。新技术可以在两种不同的封装中找到：Standard-Gate 和 Center-Gate（针对并行化进行了优化）。

特性

  • RDS(on) 为 22 毫欧姆
  • 与 PQFN 封装相比，RthJC 更佳
  • 可提供中心栅极封装
  • 全新、优化的布局可能性

产品优势

  • 最高的功率密度和性能
  • 卓越的热性能
  • 高效利用空间
  • 中心栅极可实现理想的并行化
  • 改善 PCB 损耗
  • 减少寄生效应

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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