现货，推荐
符合RoHS标准

IQEH50NE2LM7ZCG

OptiMOS ™ 7 25 V 开关优化功率 MOSFET，适用于 PQFN 3.3x3.3 中的硬开关和软开关拓扑Source-Down 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IQEH50NE2LM7ZCG
IQEH50NE2LM7ZCG
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    422 A
  • IDpuls max
    1688 A
  • QG (typ @4.5V)
    29 nC
  • QG (typ @10V)
    63 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    0.64 mΩ
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.4 V
  • 封装
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Soft-switching optimized
推荐的
OPN
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 N/A
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TTFN-9
封装名 -
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ 7 25 V 提供了全新水平的应用优化，使数据中心、服务器、AI 等能够达到最佳性能。该产品组合有两种技术类型，包括针对硬开关和软开关拓扑优化的产品。 硬开关优化产品具有出色的米勒比、FOM 和 RDS(on)10，而针对软开关优化的产品则提供超低 RDS(on)45 和 FOMQg。

特性

  • 硬开关和软开关优化
  • 硬开关：米勒比率、FOM、RDS(on)10
  • 软开关：RDS(on)45, FOMQg
  • 额定结温+175°C
  • 源代码包变体
  • 中心浇口布局，DSC 包覆成型

产品优势

  • 针对特定应用的优化
  • 提高性能效率
  • 先进的感应开启坚固性
  • 降低驱动器和开关损耗
  • 降低传导损耗
  • 提高可靠性和功率密度
  • 卓越的散热能力
  • 减少封装寄生效应
  • 简化 MOSFET 并联

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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