IR2111S
在产
符合RoHS标准
无铅

IR2111S

具有击穿保护功能的 600 V 半桥栅极驱动器 IC
数据手册
封装
多个 OPN 可用

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IR2111S
IR2111S
数据手册


商品详情

  • VBS UVLO (On)
    8.6 V
  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.6 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • 关断传播延迟
    150 ns
  • 开通传播延迟
    750 ns
  • 拓扑结构
    Half-Bridge
  • 电压等级
    600 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    10 V 至 20 V
  • 输出电流 (Source)
    0.25 A
  • 输出电流 (Sink)
    0.5 A
  • 通道
    2
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)

推荐的
OPN
IR2111STRPBF IR2111SPBF
产品状态 active discontinued
英飞凌封装名称
SOIC 8N
SOIC 8N
封装名 N/A N/A
封装尺寸 2500 3800
封装类型 TAPE & REEL TUBE
湿度 2 2
防潮封装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
封装尺寸 3800
封装类型 TUBE
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER ™ 600 V 半桥栅极驱动器 IC，具有典型的 0.25 A 拉电流和 0.5 A 灌电流，采用 8 引线 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。还提供 8 引脚 PDIP。

特性

  • 用于引导操作的浮动通道。
  • 完全可在 +600 V 下运行
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源：10 V 至 20 V
  • 双通道欠压锁定
  • CMOS 施密特触发输入
  • 匹配属性。两个通道均延迟。
  • 内部设置死区时间
  • 高端输出。与IN输入同相。
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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