IR21364S
在产
符合RoHS标准
无铅

IR21364S

具有过流保护、启用和故障报告功能的 600 V 三相栅极驱动器 IC

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IR21364S
IR21364S

商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    9.4 V
  • VBS UVLO (On)
    10.4 V
  • VCC UVLO (Off)
    9.4 V
  • VCC UVLO (On)
    10.4 V
  • 关断传播延迟
    530 ns
  • 开通传播延迟
    500 ns
  • 电压等级
    600 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    11.5 V 至 20 V
  • 输出电流 (Sink)
    0.35 A
  • 输出电流 (Source)
    0.2 A
  • 通道数
    6
  • 配置
    Three Phase
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)
OPN
IR21364STRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
封装名 N/A
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
用于 IGBT 和 MOSFET 的 600V 三相栅极驱动器 IC 具有 0.2A 拉电流、0.35A 灌电流、10.4V/9.4VUVLO、500ns/530ns 传播延迟和 SOIC-28 宽体封装中的 0.46V VITRIP 阈值。它包括一个集成自举二极管 (BSD),用于将负瞬态电压鲁棒性提高至 -100V,同时将电平转换损耗降低 50%。探索英飞凌的 SOI 600V 三相栅极驱动器选项,以提高性能。

特性

  • 用于引导操作的浮动通道。
  • 完全可在 +600 V 下运行
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源:10 V 至 20 V
  • 过流关断
  • 所有通道欠压锁定
  • 过流关断
  • 独立的 3 个半桥驱动器
  • 匹配的道具。延迟所有通道。
  • 交叉传导预防逻辑
  • 3.3V 逻辑兼容

图表

Block_diagram_IR21364
Block_diagram_IR21364
Block_diagram_IR21364 Block_diagram_IR21364 Block_diagram_IR21364
Typical_connection_IR21364 Typical_connection_IR21364 Typical_connection_IR21364
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