IRF1018E
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IRF1018E

采用 TO-220AB 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
封装
每件.
有存货

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IRF1018E
IRF1018E
每件.

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    79 A
  • 最高 Ptot
    110 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @10V)
    46 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    8.4 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.32 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.33
OPN
IRF1018EPBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
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