IRF1404Z
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IRF1404Z

采用 TO-220 封装的 40V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF1404Z
IRF1404Z
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    180 A
  • 最高 Ptot
    220 W
  • Qgd
    42 nC
  • QG (typ @10V)
    100 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.7 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.65 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.58

OPN
IRF1404ZPBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE,TW

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE,TW

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 行业标准通孔电源
  • 高电流承载能力封装

产品优势

  • 多供应商兼容性
  • 行业标准资质水平
  • 采用标准引脚排列的直接替换
  • 提高电流承载能力

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区