IRF1405ZS

IRF1405ZS

采用 D2-Pak 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRF1405ZS
IRF1405ZS

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    150 A
  • 最高 Ptot
    230 W
  • Qgd
    46 nC
  • QG (typ @10V)
    120 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.9 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.65 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

应用

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