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停产
已停产
符合RoHS标准

IRF200P222

停产
采用 TO-247AC 封装的 200V 单 N 通道 StrongIRFET ™
封装

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IRF200P222
IRF200P222

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    182 A
  • 最高 Ptot
    556 W
  • Qgd
    26 nC
  • QG (typ @10V)
    135 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    6.6 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.27 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    200 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 蓄电池电压
    96-140 V
  • 预算价格€/1k
    4.16
OPN
IRF200P222
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO247
封装名 TO247
包装尺寸 400
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO247
封装名 TO247
包装尺寸 400
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 增强的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性
  • 完全表征的电容和雪崩 SOA
  • 增强的体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
  • 无铅，符合 RoHS 标准

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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