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IRF200P223
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符合RoHS标准

IRF200P223

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采用 TO-247AC 封装的 200V 单 N 通道 StrongIRFET ™
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IRF200P223
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    100 A
  • 最高 Ptot
    313 W
  • Qgd
    13 nC
  • QG (typ @10V)
    68 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    11.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.48 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    200 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N

OPN
IRF200P223
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO247
封装名 TO247
封装尺寸 400
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO247
封装名 TO247
封装尺寸 400
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT
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StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

应用

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