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32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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- EZ-PD™ CCG7S 汽车单口 USB-C PD 解决方案，配备DC-DC控制器
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IRF250P224
商品详情
-
ID (@25°C) max128 A
-
Ptot max313 W
-
Qgd25 nC
-
QG (typ @10V)135 nC
-
RDS (on) (@10V) max12 mΩ
-
RthJC max0.48 K/W
-
Tj max175 °C
-
VDS max250 V
-
VGS(th)3 V
-
VGS max20 V
-
安装THT
-
封装TO-247
-
工作温度-55 °C to 175 °C
-
极性N
-
蓄电池电压144-200 V
-
预算价格€/1k4.02
|
OPN
|
IRF250P224 | |
|---|---|---|
| 产品状态 | discontinued | |
| 英飞凌封装名称 | ||
| 封装名 | TO247 | |
| 包装尺寸 | 400 | |
| 包装类型 | TUBE | |
| 湿度 | NA | |
| 防潮包装 | NON DRY | |
| 无铅 | No | |
| 无卤素 | Yes | |
| 符合RoHS标准 | Yes | |
|
Infineon stock last updated:
|
||
|
|
||
|
|
| 产品状态 | discontinued |
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | TO247 |
| 包装尺寸 | 400 |
| 包装类型 | TUBE |
| 湿度 | NA |
| 防潮包装 | NON DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
产品优势
- 增强的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性
- 完全表征的电容和雪崩 SOA
- 增强的体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
- 无铅，符合 RoHS 标准