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IRF2807Z
停产
已停产
符合RoHS标准

IRF2807Z

停产
采用 TO-220 封装的 75V 单 N 沟道功率 MOSFET
封装

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IRF2807Z
IRF2807Z

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    89 A
  • 最高 Ptot
    170 W
  • Qgd
    28 nC
  • QG (typ @10V)
    71 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    9.4 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.9 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    75 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.51
OPN
IRF2807ZPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 行业标准通孔电源
  • 高额定电流

产品优势

  • 分布广泛
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列的直接替换
  • 高电流承载能力

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区