IRF3205ZL

采用 TO-262 封装的 55V 单 N 沟道功率 MOSFET

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IRF3205ZL
IRF3205ZL

商品详情

  • ID (@25°C) max
    110 A
  • Ptot max
    170 W
  • Qgd
    30 nC
  • QG (typ @10V)
    76 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    6.5 mΩ
  • RthJC max
    0.9 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    I2PAK (TO-262)
  • Polarity
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 行业标准通孔电源封装
  • 高额定电流

产品优势

  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列,可直接替换
  • 高电流承载能力

应用

文档

设计资源

开发者社区

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