不建议用于新设计
符合RoHS标准

IRF3805S

采用 D2-Pak 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装
每件.
有存货

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IRF3805S
IRF3805S
每件.
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    210 A
  • 最高 Ptot
    130 W
  • Qgd
    72 nC
  • QG (typ @10V)
    190 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.3 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.45 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    1.85
OPN
IRF3805STRLPBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
包装尺寸 800
包装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
包装尺寸 800
包装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

产品优势

  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对 10 V 栅极驱动电压（称为正常电平）进行了优化
  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 高电流承载能力封装（高达 195 A，取决于芯片尺寸）
  • 可进行波峰焊

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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