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IRF40B207
停产
已停产
符合RoHS标准

IRF40B207

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40V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用无铅 TO-220AB 封装
封装
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IRF40B207
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    95 A
  • 最高 Ptot
    83 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @10V)
    45 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.8 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.9 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.33
OPN
IRF40B207
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET ™功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 终端应用包括无绳电动设备和园艺工具、轻型电动汽车和需要高耐用性和高能效的电动自行车。

特性

  • 高额定电流
  • 产品质量。符合 JEDEC 标准
  • 硅片针对开关频率 <100 kHz 进行了优化
  • 与上一代硅片相比，体二极管更软
  • 行业标准通孔功率封装
  • 分销合作伙伴处供应最广泛

产品优势

  • 高电流承载能力
  • 可靠、经过行业测试的产品。
  • 高性能、低频
  • 提高功率密度
  • 使用标准引脚排列进行直接替换
  • 兼容多供应商

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区