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IRF40B207

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40V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用无铅 TO-220AB 封装
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IRF40B207
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    95 A
  • Ptot max
    83 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @10V)
    45 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4.5 mΩ
  • RthJC max
    1.8 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-220
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.33
OPN
IRF40B207
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET ™功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 终端应用包括无绳电动设备和园艺工具、轻型电动汽车和需要高耐用性和高能效的电动自行车。

特性

  • 高额定电流
  • 产品质量。符合 JEDEC 标准
  • 硅片针对开关频率 <100 kHz 进行了优化
  • 与上一代硅片相比，体二极管更软
  • 行业标准通孔功率封装
  • 分销合作伙伴处供应最广泛

产品优势

  • 高电流承载能力
  • 可靠、经过行业测试的产品。
  • 高性能、低频
  • 提高功率密度
  • 使用标准引脚排列进行直接替换
  • 兼容多供应商

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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