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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRF40DM229

停产
采用 DirectFET ™ MF 封装的 40V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF40DM229
IRF40DM229
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    159 A
  • IDpuls max
    636 A
  • Ptot max
    83 W
  • Qgd
    39 nC
  • QG (typ @10V)
    107 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.85 mΩ
  • RthJA max
    45 K/W
  • RthJC max
    1.5 K/W
  • Rth
    1.5 K/W
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET (M)
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 微型模板
    IRF66MF-25
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.89
OPN
IRF40DM229
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON-6
封装名 DirectFET (M)
包装尺寸 4800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON-6
封装名 DirectFET (M)
包装尺寸 4800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET ™功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 终端应用包括无绳电动设备和园艺工具、轻型电动汽车和需要高耐用性和高能效的电动自行车。

特性

  • 双面冷却能力
  • 0.7mm 低封装高度
  • 低寄生电感 (1-2 nH) 封装
  • 100% 无铅（无 ROHS 豁免）
  • 针对低于 <100KHz 开关应用优化的硅片
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行优化

产品优势

  • 高功率密度
  • 低调设计
  • 高效率
  • 环保
  • 低频应用中的高性能
  • 行业标准资格水平
  • 分销合作伙伴广泛供应

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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