IRF40H233

40 V StrongIRFET ™对称双 SuperSO8

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IRF40H233
IRF40H233

商品详情

  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    35 A
  • Qgd
    16 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    35 nC, 45 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    6.2 mΩ
  • 最高 RthJC
    45 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • 最高 VGS(th)
    3.9 V
  • VGS(th)
    2.2 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N+N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌最新的 40 V StrongIRFET ™双 N 沟道功率 MOSFET 专为电池管理和电机控制应用而设计，如有刷电机、BLDC 电机、步进电机和伺服电机。

产品优势

  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 额定结温 175°C
  • 100% UL 测试
  • 根据 JEDEC 标准进行产品验证
  • 无铅；符合 RoHS 标准；无卤素

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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