IRF5305S
在产
符合RoHS标准

IRF5305S

采用 D²PAK 封装的 IR MOSFET -55 V
数据手册
封装
多个 OPN 可用

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IRF5305S
IRF5305S
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -31 A
  • 最高 Ptot
    110 W
  • Qgd
    19.3 nC
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    60 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    -55 V
  • VGS(th) 范围
    -2 V 至 -4 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 极性
    P
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.64

推荐的
OPN
IRF5305STRLPBF IRF5305STRRPBF
产品状态 active obsolete
英飞凌封装名称
D2PAK
D2PAK
封装名 D2PAK D2PAK
封装尺寸 800 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT TAPE & REEL RIGHT
湿度 1 1
防潮封装 NON DRY NON DRY
无铅 No No
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
封装产地
CN,MX
-
晶圆产地
CN,MY
-

产品状态
Active
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,MX
晶圆产地
CN,MY

产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL RIGHT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地 -
晶圆产地 -
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品优势

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100 kHz 开关频率的应用进行了优化的硅片
  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 高电流承载能力封装（高达 195 A，取决于芯片尺寸）
  • 可进行波峰焊

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区