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IRF630NS
停产
已停产
符合RoHS标准

IRF630NS

停产
采用 D2-Pak 封装的 200V 单 N 通道 IR MOSFET
数据手册
封装

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IRF630NS
IRF630NS
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    9.3 A
  • 最高 Ptot
    82 W
  • Qgd
    11.3 nC
  • QG (typ @10V)
    23.3 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    300 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.83 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    200 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.41

OPN
IRF630NSTRLPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 高额定电流

产品优势

  • 增强坚固性
  • 多供应商兼容性
  • 行业标准资质等级
  • 标准引脚排列允许直接替换
  • 高电流承载能力

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区