IRF6628

采用 DirectFET MX 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 180 安培。
数据手册

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IRF6628
IRF6628
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商品详情

  • ID (@ TA=70°C) max
    22 A
  • ID (@ TA=25°C) max
    27 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.8 W
  • Ptot max
    96 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG
    31 nC
  • RDS (on) max
    2.5 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    3.3 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    2.5 mΩ
  • RthJC max
    1.3 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET MX
  • 微型模板
    IRF66MX-25
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

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