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微控制器
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微控制器
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IRF6662
商品详情
-
ID (@25°C) max47 A
-
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-
Ptot max89 W
-
Qgd6.8 nC
-
QG (typ @10V)22 nC
-
RDS (on) (@10V) max22 mΩ
-
RthJC max1.4 K/W
-
Tj max150 °C
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VGS max20 V
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MountingSMD
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PackageDirectFET (M)
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Micro-stencilIRF66MZ-25
-
PolarityN
-
Moisture Sensitivity Level1
-
Budgetary Price €/1k0.9
|
OPN
|
|---|
| 产品状态 |
| 英飞凌封装名称 |
| 封装名 |
| 包装尺寸 |
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| 湿度 |
| 防潮包装 |
| 无铅 |
| 无卤素 |
| 符合RoHS标准 |
|
Infineon stock last updated:
|
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。
特性
- 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
- 产品符合 JEDEC 标准
- 高额定电流
- 双面冷却能力
- 封装高度低至 0.7 毫米
- 低寄生 (1-2 nH) 电感封装
- 100% 无铅（无 RoHS 豁免）
产品优势
- 分销合作伙伴广泛供应
- 行业标准资质水平
- 高载流能力
- 最佳热性能
- 紧凑的外形
- 高效率
- 环保