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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRF6665

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100V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 DirectFET ™ SH 封装，适用于音频
数据手册

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IRF6665
IRF6665
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    19 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.2 W
  • Ptot max
    42 W
  • Qgd
    2.8 nC
  • QG (typ @10V)
    8.4 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    62 mΩ
  • RthJC max
    3 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    DirectFET(S)
  • Operating Temperature
    -40 °C to 150 °C
  • Micro-stencil
    IRF66SH-25
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    0.41
OPN
IRF6665TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 DIRECTFET
封装名 SH
包装尺寸 4800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 DIRECTFET
封装名 SH
包装尺寸 4800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 高额定电流
  • 双面冷却能力
  • 封装高度低至 0.7 毫米
  • 低寄生 (1-2 nH) 电感封装
  • 100% 无铅（无 RoHS 豁免）

产品优势

  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 高功率密度
  • 最佳热性能
  • 紧凑的外形
  • 高效率
  • 环保

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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