IRF6725M

IRF6725M

采用 DirectFET MX 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 28 安培，具有低导通电阻。
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF6725M
IRF6725M
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    170 A
  • 最高 Ptot
    100 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.8 W
  • Qgd
    11 nC
  • QG (typ @4.5V)
    36 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.2 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    3.2 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.2 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • VGS(th) 范围
    1.35 V 至 2.35 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET MX
  • 微型模板
    IRF66MX-25
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区