在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7103

50V 双 N 通道 IR MOSFET ™采用 SO-8 封装
数据手册
封装

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IRF7103
IRF7103
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    3 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    3.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    12 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    130 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    200 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    50 V
  • VGS(th)
    2 V
  • VGS max
    20 V
  • 封装
    SO-8
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 极性
    N+N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.16
推荐的
OPN
IRF7103TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

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