在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7103

50V 双 N 通道 IR MOSFET ™采用 SO-8 封装
数据手册
封装

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IRF7103
IRF7103
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    3 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2 W
  • Qgd (typ)
    3.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    12 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    200 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    130 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    50 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 3 V
  • VGS(th)
    2 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    SO-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N+N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 特殊功能
    Logic Level
  • 预算价格€/1k
    0.16
推荐的
OPN
IRF7103TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

文档

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }