IRF7171M

采用 DirectFET MN 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRF7171M
IRF7171M
数据手册

商品详情

  • ID (@ TC=25°C) max
    93 A
  • ID (@ TC=100°C) max
    59 A
  • ID max
    59 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.1 W
  • Ptot max
    104 W
  • Qgd
    13 nC
  • QG
    36 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    6.5 mΩ
  • RDS (on) max
    6.5 mΩ
  • RthJC max
    1.2 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    DirectFET MN
  • Micro-stencil
    IRF66MN-25
  • Polarity
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 非常适合高性能隔离转换器初级开关
  • 针对同步整流进行了优化
  • 符合 RoHS 规定，不含卤素
  • 无铅（可耐受高达 260°C 的回流焊）
  • 低传导损耗
  • 高 Cdv/dt 抗扰度
  • 低调（小于 0.7 毫米）
  • 兼容双面冷却
  • 与现有的表面贴装技术兼容
  • 工业级合格
  • FastIRFET ™

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }