已淘汰
符合RoHS标准
无铅

IRF7204

采用 SO-8 封装的 -20V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF7204
IRF7204
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    -5.3 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.5 W
  • Qgd
    8 nC
  • QG (typ @10V)
    25 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    60 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    100 mΩ
  • RthJA max
    50 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    -20 V
  • VGS(th)
    -1.75 V
  • VGS max
    12 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    P
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
IRF7204TRPBF
产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt
  • 额定值 快速切换
  • 完全符合雪崩等级
  • 工作温度 175°C
  • P沟道MOSFET

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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