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IRF7324
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRF7324

停产
采用 SO-8 封装的 IR MOSFET -20V
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封装
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IRF7324
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -9 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2 W
  • Qgd (typ)
    12 nC
  • QG (typ @4.5V)
    42 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    18 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    20 V, -20 V
  • VGS(th) 范围
    -0.45 V 至 -1 V
  • VGS(th)
    -0.73 V
  • 最高 VGS
    12 V
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    P+P
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
IRF7324TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,PH,TH
晶圆产地
IL
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,PH,TH
晶圆产地
IL
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IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品优势

  • 符合 RoHS 规范
  • 低 RDS(on)
  • 薄型（小于 1.1 毫米）
  • 双 P 沟道 MOSFET

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区