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IRF7328
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRF7328

停产
采用 SO-8 封装的 IR MOSFET -30 V
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封装
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IRF7328
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -8 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2 W
  • Qgd (typ)
    8.3 nC
  • QG (typ @10V)
    52 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    21 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    32 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    30 V, -30 V
  • VGS(th) 范围
    -1 V 至 -2.5 V
  • VGS(th)
    -1.75 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    P+P
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
IRF7328TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
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IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品优势

  • 符合 RoHS 标准
  • 低 RDS(on)
  • 双 P 沟道 MOSFET
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