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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRF7473

停产
采用 SO-8 封装的 IR MOSFET 100 V

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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    6.9 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    19 nC
  • QG (typ @10V)
    61 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    26 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 5.5 V
  • VGS(th)
    4.5 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.5
OPN
IRF7473TRPBF IRF7473PBF
产品状态 discontinued discontinued
英飞凌封装名称
封装名 SO-8 SO-8
包装尺寸 4000 3800
包装类型 TAPE & REEL TUBE
湿度 1 N/A
防潮包装 NON DRY NON DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 SO-8
包装尺寸 3800
包装类型 TUBE
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺,为设计人员提供了丰富的器件组合,以支持各种应用,例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品优势

  • 符合 RoHS 标准
  • 行业领先的品质
  • 行业标准的引脚排列

应用

文档

设计资源

开发者社区

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