IRF7493
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IRF7493

采用 SO-8 封装的 80V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
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封装
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IRF7493
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    9.3 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @10V)
    35 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    15 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
IRF7493TRPBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
TW
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产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
TW
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