已淘汰
符合RoHS标准
无铅

IRF7501

采用 Micro 8 封装的 20V 双 N 沟道功率 MOSFET
数据手册

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IRF7501
IRF7501
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    2.4 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    1.2 W
  • Qgd (typ)
    2.2 nC
  • QG (typ @4.5V)
    5.3 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    135 mΩ
  • RthJA max
    100 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    20 V
  • VGS(th) min
    0.7 V
  • VGS max
    12 V
  • Package
    Micro8 (MO-187)
  • Polarity
    N+N, N+N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
IRF7501TRPBF
产品状态 obsolete
英飞凌封装名称 MICRO8
封装名 Micro8 (MO-187)
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 N/A
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 obsolete
英飞凌封装名称 MICRO8
封装名 Micro8 (MO-187)
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅优化
  • 薄型封装（小于 1.1 毫米）

产品优势

  • 增强的坚固性
  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 低频应用中的高性能
  • 紧凑的外形

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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