IRF7665S2

采用 DirectFET SB 封装的 100V 数字音频单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 14.4 安培。
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IRF7665S2
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    14.4 A
  • Ptot max
    30 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.4 W
  • Qgd
    3.2 nC
  • QG (typ @10V)
    8.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    62 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    DirectFET SB
  • Micro-stencil
    IRF66SB-25
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
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