IRF7665S2

采用 DirectFET SB 封装的 100V 数字音频单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 14.4 安培。
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IRF7665S2
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    14.4 A
  • 最高 Ptot
    30 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.4 W
  • Qgd
    3.2 nC
  • QG (typ @10V)
    8.3 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    62 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET SB
  • 微型模板
    IRF66SB-25
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

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