IRF7799L2

IRF7799L2

采用 DirectFET L8 封装的 250V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 35 安培
数据手册

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IRF7799L2
IRF7799L2
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商品详情

  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    25 A
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    35 A
  • 最高 ID
    25 A
  • 最高 ID (@ TA=25°C)
    6.6 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    4.3 W
  • 最高 Ptot
    125 W
  • Qgd
    39 nC
  • QG
    110 nC
  • 最高 RDS (on)
    38 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    38 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.2 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    250 V
  • 最高 VGS
    30 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET L8
  • 微型模板
    IRF66L8-25
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 合格的工业
  • 合格的 MSL1
  • 低轮廓（小于 0.7 毫米）
  • 双面冷却
  • 针对同步整流进行了优化
  • 低传导损耗
  • 高 Cdv/dt 抗扰度

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区