IRF7820
在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7820

采用 SO-8 封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRF7820
IRF7820

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    3.7 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    8.7 nC
  • QG (typ @10V)
    29 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    78 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    200 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.5
OPN
IRF7820TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
文档

设计资源

开发者社区

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