IRF7853
在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7853

采用无铅 SO-8 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
封装

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IRF7853
IRF7853

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    8.3 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    10 nC
  • QG (typ @10V)
    28 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    18 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4.9 V
  • VGS(th)
    3.95 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.45
推荐的
OPN
IRF7853TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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