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IRF7NA2907

数据手册
封装

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IRF7NA2907
IRF7NA2907
数据手册

商品详情

  • ID (@100°C) max
    75 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    4.5 mΩ
  • VBRDSS min
    75 V
  • Download Model
    https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_IRF7NA2907-SimulationModels-v01_01-EN.spi?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f4e73df30e63
  • Product Category
    High Reliability MOSFETs
  • Package
    SMD-2
  • Polarity
    N
  • Voltage Class
    100 V
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-2 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRF7NA2907 是一款采用 SMD-2 封装的高可靠性、75V、单 N 沟道 MOSFET。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。

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