IRF8306M

IRF8306M

30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET 和肖特基二极管，采用 DirectFET MX 封装，额定电流为 23 安培，具有低导通电阻。
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF8306M
IRF8306M
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    140 A
  • 最高 ID (@ TA=70°C)
    18 A
  • 最高 ID (@ TA=25°C)
    23 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.1 W
  • 最高 Ptot
    75 W
  • Qgd
    6.7 nC
  • QG
    25 nC
  • 最高 RDS (on)
    2.5 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    3.6 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.66 K/W
  • Special Features
    Schottky (includes Schottky like and FETky)
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET MX
  • 微型模板
    IRF66MX-25
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低轮廓（小于 0.7 毫米）
  • 双面冷却
  • 低传导损耗
  • 针对高频开关进行了优化
  • 低封装电感
  • 集成单片肖特基二极管

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区