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IRF8910
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRF8910

停产
采用 SO-8 封装的 20V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
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封装
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IRF8910
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    10 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2 W
  • Qgd (typ)
    2.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    7.4 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    18.3 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    13.4 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    20 V
  • VGS(th) 范围
    1.65 V 至 2.55 V
  • VGS(th)
    2.1 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    SO-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N+N, N+N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
IRF8910TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
PH,TH
晶圆产地
IL
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
PH,TH
晶圆产地
IL
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产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 4.5V VGS 时 RDS(ON) 较低
  • 超低栅极阻抗
  • 双 N 沟道 MOSFET
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